退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設(shè)計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態(tài)，修復注入的損傷，移動摻雜劑或?qū)诫s劑從一個薄膜轉(zhuǎn)移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

退火爐是集成電路制造工藝中的常用設(shè)備之一- 。在半導體制造中，有很多工藝(如氧化、擴散、外延、離子注人、蕉發(fā)電極等)在其完成后需要進行特定的退火熱處理。

退火的主要作用是消除晶格缺陷( 使不在晶格位置上的離子運動到晶格位置，以使其具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到激活雜質(zhì)的作用)和晶格損傷(在離子注人過程中，由于受到高能粒子的撞擊，導致硅結(jié)構(gòu)的晶格原子發(fā)生位移，造成晶格缺陷和損傷)。

1、檢修時更換設(shè)備的部位。檢修時動過的爐體和管道部分，都要作為檢查的關(guān)鍵部位。

2、開啟過的頂蓋、底蓋、穿帶孔、檢修門。

3、入口密封輥縫。

4、爐殼和循環(huán)管道上的膨脹節(jié)，爐輥法蘭、換熱器法蘭、各儀表法蘭和焊口等。

5、水冷高溫計、攝像頭、水冷換熱器等。

6、分析儀取樣管接頭等。